剖析电脑关键元器件

　　1  电阻

　　电阻，又称为电阻器。导电体对电流的阻碍作用称着电阻，用符号 R 表示，单位为欧姆、千欧、兆欧，分别用 Ω、KΩ、MΩ表示。

　　1.1 电阻的型号命名方法

　　国产电阻器的型号由四部分组成（不适用敏感电阻）

　　部分：主称，用字母表示，表示产品的名字。如 R 表示电阻，W 表示电位器。

　　第二部分：材料，用字母表示，表示电阻体用什么材料组成，T-碳膜、H-合成碳膜、S-有 机实心、N-无机实心、J-金属膜、Y-氮化膜、C-沉积膜、I-玻璃釉膜、X-线绕。

　　第三部分：分类， 一般用数字表示， 个别类型用字母表示，表示产品属于什么类型。 1-普通、2-普通、3-超高频 、4-高阻、5-高温、6-精密、7-精密、8-高压、9-特殊、G-高功率、T可调。

　　第四部分：序号，用数字表示，表示同类产品中不同品种，以区分产品的外型尺寸和性能指标等。 例如：R T 1 1 型普通碳膜电阻二、电阻器的分类1、线绕电阻器：通用线绕电阻器、精密线绕电阻器、大功率线绕电阻器、高频线绕电阻器。

　　1.2 主要分类

　　1.2.1 薄膜电阻器

　　碳膜电阻器、合成碳膜电阻器、金属膜电阻器、金属氧化膜电阻器、化学沉积膜电阻器、玻璃釉膜电阻器、金属氮化膜电阻器。

　　1.2.2 实心电阻器

　　无机合成实心碳质电阻器、有机合成实心碳质电阻器。

　　1.2.3 敏感电阻器

　　压敏电阻器、热敏电阻器、光敏电阻器、力敏电阻器、气敏电阻器、湿敏 电阻器。

　　1.3 阻值

　　电阻阻值有直接编号和色环法，直接编号我不说你也知道，下面主要介绍色环电阻的识别。目前，电子产品广泛采用色环电阻，其优点是在装配、调试和修理过程中，不用拨动元件， 即可在任意角度看清色环，读出阻值，使用方便。一个电阻色环由4 部分组成[不包括精密 电阻] 四个色环的其中、二环分别代表阻值的前两位数；第三环代表倍率；第四环代表误差。

　　下面介绍掌握此方法的几个要点：

　　（1）熟记、二环每种颜色所代表的数。

　　可这样记忆： 棕=1 红=2， 橙=3， 黄=4， 绿=5， 蓝=6， 紫=7， 灰=8， 白=9，黑=0。 记准记牢第三环颜色所代表的 阻值范围，这一点是关键。具体做法是： 金色：几点几 Ω 黑色：几十几 Ω棕色：几百几 Ω。

　　红色：几点几 kΩ 橙色：几十几 kΩ 黄色：几百几 kΩ 绿色：几点几 MΩ 蓝色：几十几 MΩ 从数量级来看，在体上可把它们划分为三个大的等级，即：金、黑、棕色是欧姆级的；红是 千欧级橙"、黄色是十千欧级的；绿是兆欧级、蓝色则是十兆欧级的。这样划分一下是为了 便于记忆。

　　（2）当第二环是黑色时，第三环颜色所代表的则是整数，即几，几十，几百 kΩ等，这是 读数时的特殊情况，要注意。例如第三环是红色，则其阻值即是整几 kΩ的。

　　（3）记住第四环颜色所代表的误差，即：

　　金色为 5％；银色为 10％；无色为 20％。 下面举例说明： 例 1 当四个色环依次是黄、橙、红、金色时，因第三环为红色、阻值范围是几点几 kΩ 的，按照黄、橙两色分别代表的数"4"和"3"代入，则其读数为 4.3kΩ。第环是金色表示误 差为 5％。

　　例 2 当四个色环依次是棕、黑、橙、金色时，因第三环为橙色，第二环又是黑色，阻值应是 整几十 kΩ的，按棕色代表的数"1"代入，读数为 10 kΩ。第四环是金色，其误差为 5％。

　　2 电容

　　又称为电容器，容纳和释放电荷的电子元器件叫做电容， C 表示电容， 用 电容单位有法拉 （F）微法拉 、 （uF）、 皮法拉（pF），1F=10^6uF=10^12pF

　　2.1 用途

　　电容是电子设备中大量使用的电子元件之一，电容的用途非常多，主要有如下几种：

　　A. 隔直流：作用是阻止直流通过而让交流通过。

　　B. 旁路（去耦）：为交流电路中某些并联的元件提供低阻抗通路。

　　C. 耦合：作为两个电路之间的连接，允许交流信号通过并传输到下电路

　　D. 滤波：这个对 DIY 而言很重要，显卡上的电容基本都是这个作用。

　　E. 温度补偿：针对其它元件对温度的适应性不够带来的影响，而进行补偿，改善电路 的稳定性。

　　F. 计时：电容器与电阻器配合使用，确定电路的时间常数。

　　G. 调谐：对与频率相关的电路进行系统调谐，比如手机、收音机、电视机。

　　H. 整流：在预定的时间开或者关半闭导体开关元件。

　　I. 储能：储存电能，用于必须要的时候释放。例如相机闪光灯，加热设备等等。（如今某些电容的储能水平已经接近锂电池的水准， 一个电容储存的电能可以供一个手机使用一天。）

　　2.2 电容器的型号命名方法

　　国产电容器（如三环电容）的型号一般由四部分组成（不适用于压敏、可变、真空电容器）。依次分别代表 名称、材料、分类和序号。

　　部分：名称，用字母表示，电容器用 C。

　　第二部分：材料，用字母表示。

　　第三部分：分类，一般用数字表示，个别用字母表示。

　　第四部分：序号，用数字表示。 用字母表示产品的材料：A-钽电解、B-聚苯乙烯等非极性薄膜、C-高频陶瓷、D-铝电解、E-其它材料电解、 G-合金电解、H-复合介质、 I-玻璃釉、 J-金属化纸、L-涤纶等极性有机薄膜、 N-铌电解、O-玻璃膜、Q-漆膜、T-低频陶瓷、V-云母纸、Y-云母、Z-纸介二、电容器的分类1、按照结构分三大类：固定电容器、可变电容器和微调电容器。

　　2.3 常见的电容器

　　首先要按照介质种类来分。 这当中可分为无机介质电容器、 有机介质电容器和电解电容器三大类。不同介质的电容，在结构、成本、特性、用途方面都大不相同。

　　无机介质电容器： 包括大家熟悉的陶瓷电容以及云母电容， CPU 上我们会经常看到陶 在 瓷电容。陶瓷电容的综合性能很好，可以应用 GHz 级别的超高频器件上，比如 CPU/GPU。 当 然，它的价格也很贵。

　　有机介质电容器：例如薄膜电容器，这类电容经常用在音箱上，其特性是比较精密、 耐 高温高压。 双电层电容器：这种电容的电容量特别大，可以达到几百 f（f=法，电容量单位， 1f=100000μf）。因此这种电容可以做 UPS 的电池用，作用是储存电能。 电解电容器：由于主板、显卡等产品使用的基本都是电解电容，因此这是我们要讲的重 点。大家熟悉的铝电容，钽电容其实都是电解电容。

　　电解电容器特点一：单位体积的电容量非常大，比其它种类的电容大几十到数百倍。

　　电解电容器特点二：额定的容量可以做到非常大，可以轻易做到几万μf 甚至几 f（但 不能和双电层电容相比）。

　　电解电容器特点三： 价格比其它种类具有压倒性优势， 因为电解电容的组成材料都是普 通的工业材料， 比如铝等等。

　　制造电解电容的设备也都是普通的工业设备， 可以大规模生产，成本相对比较低。

　　3 电感

　　电感线圈是由导线一圈靠一圈地绕在绝缘管上， 导线彼此互相绝缘， 而绝缘管可以是空心的， 也可以包含铁芯或磁粉芯， 简称电感。 L 表示， 用 单位有亨利（H）、 毫亨利 （mH）、 微亨利（uH）， 1H=10^3mH=10^6uH。

　　如果两个线圈互相靠近，当其中一个线圈中电流所产生的磁通有一部分与另-个线圈的 磁通相环链，那么，这个线圈中的电流发生变化时，会在另一个线圈中产生感应电动势， 这 种现象称为"互感"。电感是"自感"和"互感"的总称，自感的符号用"L"，互感的符号用"M"。 电感的单位是"亨利"，简称"亨"。电感元件在电路中除了储存有磁场能量外，通过电感元件 的电流不能突变，电感元件在直流电路中相当于短路（忽略线圈的电阻）。在交流电路中， 电感元件的感抗随频率的增高而增大。

　　3.1 电感的分类

　　按电感形式分类：固定电感、可变电感。 按导磁体性质分类：空芯线圈、铁氧体线圈、铁芯线圈、铜芯线圈。

　　按工作性质分类：天线线圈、振荡线圈、扼流线圈、陷波线圈、偏转线圈 按绕线结构分类：单层线圈、多层线圈、蜂房式线圈。

　　3.2 电感线圈的主要特性参数

　　A、电感量 L 电感量 L 表示线圈本身固有特性，与电流大小无关。除专门的电感线圈（色码电感）外， 电感量一般不专门标注在线圈上，而以特定的名称标注。

　　B、感抗 XL 电感线圈对交流电流阻碍作用的大小称感抗 XL，单位是欧姆。它与电感量 L 和交流电 频率 f 的关系为 XL=2πfL

　　C、品质因素 品质因素 Q 是表示线圈质量的一个物理量，Q 为感抗 XL 与其等效的电阻的比值，即： Q=XL/R。 线圈的 Q 值愈高，回路的损耗愈小。线圈的 Q 值与导线的直流电阻，骨架的介质 损耗，屏蔽罩或铁芯引起的损耗，高频趋肤效应的影响等因素有关。线圈的 Q 值通常为几十 到几百。

　　D、分布电容 线圈的匝与匝间、线圈与屏蔽罩间、线圈与底版间存在的电容被称为分布电容。分布电 容的存在使线圈的 Q 值减小，稳定性变差，因而线圈的分布电容越小越好。

　　3.3 常用线圈

　　A、单层线圈 单层线圈是用绝缘导线一圈挨一圈地绕在纸筒或胶木骨架上。 如晶体管收音机中波天线 线圈。

　　B、蜂房式线圈 如果所绕制的线圈，其平面不与旋转面平行，而是相交成一定的角度，这种线圈称为蜂 房式线圈。而其旋转一周，导线来回弯折的次数，常称为折点数。蜂房式绕法的优点是体积 小，分布电容小，而且电感量大。蜂房式线圈都是利用蜂房绕线机来绕制，折点越多，分布 电容越小

　　C、铁氧体磁芯和铁粉芯线圈 线圈的电感量大小与有无磁芯有关。 在空芯线圈中插入铁氧体磁芯， 可增加电感量和提 高线圈的品质因素。

　　D、铜芯线圈 铜芯线圈在超短波范围应用较多， 利用旋动铜芯在线圈中的位置来改变电感量， 这种调 整比较方便、耐用。

　　E、色码电感器 色码电感器是具有固定电感量的电感器，其电感量标志方法同电阻一样以色环来标记。

　　F、阻流圈（扼流圈） 限制交流电通过的线圈称阻流圈，分高频阻流圈和低频阻流圈。 7、偏转线圈 偏转线圈是电视机扫描电路输出级的负载，偏转线圈要求：偏转灵敏度高、磁场均匀、 Q 值高、体积小、价格低。

　　4 二极管

　　二极管的工作原理晶体二极管为一个由 p 型半导体和 n 型半导体形成的 p-n 结， 在其界面处两侧形成空间 电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于 p-n 结两边载流子浓度差引起的扩 散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。 当外界有正向电压偏置时， 外界 电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。 当外界有反向电 压偏置时， 外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值 无关的反向饱和电流 I0。 当外加的反向电压高到一定程度时， p-n 结空间电荷层中的电场强 度达到临界值产生载流子的倍增过程， 产生大量电子空穴对， 产生了数值很大的反向击穿电 流，称为二极管的击穿现象。 晶体二极管在电路中常用“D”加数字表示，如： D5 表示编号为 5 的二极管。

　　4.1 根据构造分类

　　半导体二极管主要是依靠 PN 结而工作的。与 PN 结不可分割的点接触型和肖特基型， 也 被列入一般的二极管的范围内。包括这两种型号在内，根据 PN 结构造面的特点，把晶体二极管分类如下：

　　A、点接触型二极管

　　点接触型二极管是在锗或硅材料的单晶片上压触一根金属针后，再通过电流法而形成的。因此，其 PN 结的静电容量小，适用于高频电路。但是，与面结型相比较，点接触型二 极管正向特性和反向特性都差，因此，不能使用于大电流和整流。因为构造简单，所以价格 便宜。对于小信号的检波、整流、调制、混频和限幅等一般用途而言，它是应用范围较广的 类型。

　　B、键型二极管

　　键型二极管是在锗或硅的单晶片上熔接或银的细丝而形成的。 其特性介于点接触型二极 管和合金型二极管之间。与点接触型相比较，虽然键型二极管的 PN 结电容量稍有增加，但 正向特性特别优良。多作开关用，有时也被应用于检波和电源整流（不大于 50mA）。在键 型二极管中，熔接金丝的二极管有时被称金键型，熔接银丝的二极管有时被称为银键型。

　　C、合金型二极管

　　在 N 型锗或硅的单晶片上，通过合金铟、铝等金属的方法制作 PN 结而形成的。正向电 压降小，适于大电流整流。因其 PN 结反向时静电容量大，所以不适于高频检波和高频整流。

　　D、扩散型二极管

　　在高温的 P 型杂质气体中，加热 N 型锗或硅的单晶片，使单晶片表面的一部变成 P 型， 以此法 PN 结。因 PN 结正向电压降小，适用于大电流整流。近，使用大电流整流器的主流 已由硅合金型转移到硅扩散型。

　　E、台面型二极管

　　PN 结的制作方法虽然与扩散型相同，但是，只保留 PN 结及其必要的部分，把不必要的 部分用药品腐蚀掉。其剩余的部分便呈现出台面形，因而得名。初期生产的台面型，是对半 导体材料使用扩散法而制成的。 因此， 又把这种台面型称为扩散台面型。 对于这一类型来说， 似乎大电流整流用的产品型号很少，而小电流开关用的产品型号却很多。

　　F、平面型二极管

　　在半导体单晶片（主要地是 N 型硅单晶片）上，扩散P型杂质，利用硅片表面氧化膜的 屏蔽作用，在 N 型硅单晶片上仅选择性地扩散一部分而形成的 PN 结。因此，不需要为调整 PN 结面积的药品腐蚀作用。由于半导体表面被制作得平整，故而得名。并且，PN 结合的表 面，因被氧化膜覆盖，所以公认为是稳定性好和寿命长的类型。初，对于被使用的半导体材料是采用外延法形成的，故又把平面型称为外延平面型。对平面型二极管而言，似乎使用 于大电流整流用的型号很少，而作小电流开关用的型号则很多。

　　G、合金扩散型二极管

　　它是合金型的一种。 合金材料是容易被扩散的材料。 把难以制作的材料通过巧妙地掺配 杂质，就能与合金一起过扩散，以便在已经形成的 PN 结中获得杂质的恰当的浓度分布。此法适用于制造高灵敏度的变容二极管。

　　H、外延型二极管

　　用外延面长的过程制造 PN 结而形成的二极管。制造时需要非常高超的技术。因能随意 地控制杂质的不同浓度的分布，故适宜于制造高灵敏度的变容二极管。

　　I、肖特基二极管

　　基本原理是：在金属（例如铅）和半导体（N 型硅片）的接触面上，用已形成的肖特基 来阻挡反向电压。肖特基与 PN 结的整流作用原理有根本性的差异。其耐压程度只有 40V 左 右。其特长是：开关速度非常快：反向恢复时间 trr 特别地短。因此，能制作开关二极和低 压大电流整流二极管。

　　4.2 根据用途分类

　　A、检波用二极管

　　就原理而言，从输入信号中取出调制信号是检波，以整流电流的大小（100mA）作为界 线通常把输出电流小于 100mA 的叫检波。锗材料点接触型、工作频率可达 400MHz，正向压 降小，结电容小，检波效率高，频率特性好，为 2AP 型。类似点触型那样检波用的二极管， 除用于检波外，还能够用于限幅、削波、调制、混频、开关等电路。也有为调频检波专用的 特性一致性好的两只二极管组合件。

　　B、整流用二极管

　　就原理而言，从输入交流中得到输出的直流是整流。以整流电流的大小（100mA）作为 界线通常把输出电流大于 100mA 的叫整流。面结型，工作频率小于 KHz，反向电压从 25 伏至 3000 伏分 A～X 共 22 档。分类如下：①硅半导体整流二极管 2CZ 型、②硅桥式整流器QL 型、③用于电视机高压硅堆工作频率近 100KHz 的 2CLG 型。

　　C、限幅用二极管

　　大多数二极管能作为限幅使用。也有象保护仪表用和高频齐纳管那样的专用限幅二极 管。为了使这些二极管具有特别强的限制尖锐振幅的作用，通常使用硅材料制造的二极管。 也有这样的组件出售： 依据限制电压需要， 把若干个必要的整流二极管串联起来形成一个整 体。

　　D、调制用二极管

　　通常指的是环形调制专用的二极管。就是正向特性一致性好的四个二极管的组合件。 即 使其它变容二极管也有调制用途，但它们通常是直接作为调频用。  5、混频用二极管使用二极管混频方式时， 500～10,000Hz 的频率范围内， 在 多采用肖特基型和点接触型 二极管。

　　F、放大用二极管

　　用二极管放大， 大致有依靠隧道二极管和体效应二极管那样的负阻性器件的放大， 以及 用变容二极管的参量放大。因此，放大用二极管通常是指隧道二极管、体效应二极管和变容 二极管。

　　G、开关用二极管

　　有在小电流下（10mA 程度）使用的逻辑运算和在数百毫安下使用的磁芯激励用开关二 极管。 小电流的开关二极管通常有点接触型和键型等二极管， 也有在高温下还可能工作的硅 扩散型、台面型和平面型二极管。开关二极管的特长是开关速度快。

　　而肖特基型二极管的开 关时间特短，因而是理想的开关二极管。2AK 型点接触为中速开关电路用；2CK 型平面接触 为高速开关电路用；用于开关、限幅、钳位或检波等电路；肖特基（SBD）硅大电流开关， 正向压降小，速度快、效率高。

　　H、变容二极管

　　用于自动频率控制（AFC）和调谐用的小功率二极管称变容二极管。日本厂商方面也有 其它许多叫法。通过施加反向电压， 使其 PN 结的静电容量发生变化。因此，被使用于自动 频率控制、扫描振荡、调频和调谐等用途。通常，虽然是采用硅的扩散型二极管，但是也可 采用合金扩散型、外延结合型、双重扩散型等特殊制作的二极管，因为这些二极管对于电压 而言，其静电容量的变化率特别大。结电容随反向电压VR 变化，取代可变电容，用作调谐 回路、 振荡电路、 锁相环路， 常用于电视机高频头的频道转换和调谐电路， 多以硅材料制作。

　　I、频率倍增用二极管

　　对二极管的频率倍增作用而言，有依靠变容二极管的频率倍增和依靠阶跃（即急变） 二 极管的频率倍增。 频率倍增用的变容二极管称为可变电抗器， 可变电抗器虽然和自动频率控 制用的变容二极管的工作原理相同， 但电抗器的构造却能承受大功率。 阶跃二极管又被称为 阶跃恢复二极管，从导通切换到关闭时的反向恢复时间trr 短，因此，其特长是急速地变成 关闭的转移时间显着地短。如果对阶跃二极管施加正弦波，那么，因 tt（转移时间）短， 所以输出波形急骤地被夹断，故能产生很多高频谐波。

　　J、稳压二极管

　　是代替稳压电子二极管的产品。 被制作成为硅的扩散型或合金型。 是反向击穿特性曲线 急骤变化的二极管。作为控制电压和标准电压使用而制作的。二极管工作时的端电压（又称 齐纳电压）从 3V 左右到 150V，按每隔 10%，能划分成许多等级。

　　K、 雪崩二极管 （Avalanche Diode）

　　它是在外加电压作用下可以产生高频振荡的晶体管。产生高频振荡的工作原理是栾的： 利用雪崩击穿对晶体注入载流子， 因载流子渡越晶片需要一定的时间， 所以其电流滞后于电 压， 出现延迟时间， 若适当地控制渡越时间， 那么， 在电流和电压关系上就会出现负阻效应， 从而产生高频振荡。它常被应用于微波领域的振荡电路中。

　　L、江崎二极管 （Tunnel Diode）

　　它是以隧道效应电流为主要电流分量的晶体二极管。其基底材料是砷化镓和锗。

　　其 P 型区的 N 型区是高掺杂的（即高浓度杂质的）。隧道电流由这些简并态半导体的量子力学效 应所产生。发生隧道效应具备如下三个条件：①费米能级位于导带和满带内；②空间电荷层 宽度必须很窄（0.01 微米以下）；简并半导体 P 型区和 N 型区中的空穴和电子在同一能级 上有交叠的可能性。江崎二极管为双端子有源器件。其主要参数有峰谷电流比（IP／PV）， 其中，下标“P”代表“峰”；而下标“V”代表“谷”。江崎二极管可以被应用于低噪声高 频放大器及高频振荡器中（其工作频率可达毫米波段），也可以被应用于高速开关电路中。

　　M、快速关断（阶跃恢复）

　　二极管 （Step Recovary Diode）它也是一种具有 PN 结的二极管。 其结构上的特点是： PN 结边界处具有陡峭的杂质分 在 布区，从而形成“自助电场”。由于 PN 结在正向偏压下，以少数载流子导电，并在 PN 结附 近具有电荷存贮效应， 使其反向电流需要经历一个“存贮时间”后才能降至值 （反向饱 和电流值）。阶跃恢复二极管的“自助电场”缩短了存贮时间，使反向电流快速截止，并产 生丰富的谐波分量。利用这些谐波分量可设计出梳状频谱发生电路。快速关断（阶跃恢复） 二极管用于脉冲和高次谐波电路中。

　　N、肖特基二极管 （Schottky Barrier Diode）

　　它是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。 其正向起始电压较低。 其金属层除材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓，多为 N 型半导 体。这种器件是由多数载流子导电的，所以，其反向饱和电流较以少数载流子导电的 PN 结 大得多。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频率响仅为 RC 时间常数 限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达 100GHz。并且，MIS（金属 －绝缘体－半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。

　　O、阻尼二极管

　　具有较高的反向工作电压和峰值电流，正向压降小，高频高压整流二极管，用在电视机 行扫描电路作阻尼和升压整流用。

　　P、瞬变电压抑制二极管

　　TVP 管， 对电路进行快速过压保护， 分双极型和单极型两种， 按峰值功率 （500W－5000W） 和电压（8.2V～200V）分类。

　　Q、双基极二极管（单结晶体管）

　　两个基极，一个发射极的三端负阻器件，用于张驰振荡电路，定时电压读出电路中， 它 具有频率易调、温度稳定性好等优点。

　　R、发光二极管

　　用磷化镓、磷砷化镓材料制成，体积小，正向驱动发光。工作电压低，工作电流小， 发 光均匀、寿命长、可发红、黄、绿单色光。

　　4.3 根据特性分类

　　点接触型二极管，按正向和反向特性分类如下。点接触型二极管，按正向和反向特性分类如下。

　　A、一般用点接触型二极管

　　这种二极管正如标题所说的那样， 通常被使用于检波和整流电路中， 是正向和反向特性 既不特别好，也不特别坏的中间产品。如：SD34、SD46、1N34A 等等属于这一类。

　　B、高反向耐压点接触型

　　二极管是峰值反向电压和直流反向电压很高的产品。使用于高压电路的检波和整流。 这种型号的二极管一般正向特性不太好或一般。在点接触型锗二极管中，有SD38、1N38A、 OA81 等等。这种锗材料二极管，其耐压受到限制。要求更高时有硅合金和扩散型。

　　C、高反向电阻点接触型二极管

　　正向电压特性和一般用二极管相同。虽然其反方向耐压也是特别地高，但反向电流小， 因此其特长是反向电阻高。 使用于高输入电阻的电路和高阻负荷电阻的电路中， 就锗材料高 反向电阻型二极管而言，SD54、1N54A 等等属于这类二极管。

　　D、高传导点接触型二极管

　　它与高反向电阻型相反。其反向特性尽管很差，但使正向电阻变得足够小。对高传导点 接触型二极管而言，有 SD56、1N56A 等等。对高传导键型二极管而言，能够得到更优良的特 性。这类二极管，在负荷电阻特别低的情况下，整流效率较高。